
算其线宽为9.5–9.7nm。 工作晶片代表设计与工艺方向正确,后续将进入良率提升与可靠性验证阶段。三星规划:2026年完成10a DRAM开发,2027年开展品质测试,2028年转入量产。10a至10c三代将持续采用4F²+VCT技术,10d起转向3D DRAM结构。 &nb
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发布时间:03:09:48
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